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Samsung annuncia moduli DRAM con tecnologia a 60 nanometri

Samsung Electronics ha annunciato di aver iniziato la produzione di nuovi moduli DRAM con tecnologie a 60 nanometri. E’ così possibile creare DDR da 1Gigabit con velocità da 667 a 800 Mbps e utilizzare la medesima tecnologia anche per moduli da 512 MB, 1 GB e 2 GB. Samsung ha spiegato che, grazie all’impiego della nuova tecnica di costruzione, si migliorano le performance almeno del 40% rispetto ai processi che impiegato 80 nanometri. Il mercato della DRAM a 60nm dovrebbe raggiungere circa 2.3 miliardi di dollari nel 2007 e oltre 32 miliardi di dollari entro il 2009.

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